国产芯片制造迎里程碑！氟化氩光刻机套刻精度破8nm，领跑全球技术前沿

国产光刻机技术飞跃，氟化氩技术引领新纪元

近日，我国芯片制造领域传来振奋人心的消息，工业和信息化部在其官方网站上发布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》中，明确展示了国产光刻机技术的重大进展。其中，氟化氩光刻机以其卓越的套刻精度≤8nm，标志着我国在该领域的技术水平已跻身国际先进行列。

此次公布的氟化氩光刻机不仅套刻精度令人瞩目，其晶圆直径达到300mm，照明波长缩短至193nm，分辨率更是≤65nm，这一系列核心技术指标均达到了国际领先水平。这一突破不仅彰显了我国光刻机研发实力的显著提升，更为我国芯片产业链的自主可控和国产化进程注入了强劲动力。

值得一提的是，目录中还提及了氟化氪光刻机，同样以晶圆直径300mm、照明波长248nm、分辨率≤110nm及套刻≤25nm的优异表现，展现了我国光刻机技术的多元化发展。

国产芯片设备全面开花，助力产业升级

除光刻机外，《目录》还涵盖了硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉等十余种集成电路生产装备，这些关键设备的国产化突破，共同构成了我国芯片制造产业链的坚实基础。这些设备的广泛应用，将有效提升我国芯片制造商的竞争力，促进芯片产业的自主可控和高质量发展。

展望未来，国产芯片产业前景广阔

随着国产光刻机等关键设备的不断突破，我国芯片产业正逐步摆脱对外依赖，向自主可控的目标迈进。这不仅有助于提升我国在全球芯片产业中的地位和话语权，更为保障国家信息安全和产业链安全提供了有力支撑。未来，我们有理由相信，国产芯片产业将在技术创新的道路上持续前行，创造更加辉煌的成就。